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BUY47LEADFREE

更新时间： 2024-11-24 21:11:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 733K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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BUY47LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.17
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：90 MHz最大关闭时间（toff）：2000 ns
最大开启时间（吨）：1000 nsBase Number Matches：1

BUY47LEADFREE 数据手册

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BUY47  
BUY48  
www.centralsemi.com  
SILICON  
HIGH CURRENT  
NPN TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BUY48 and BUY48  
are silicon NPN transistors designed for high voltage,  
high current switching applications.  
MARKING: FULL PART NUMBER  
TO-39 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL BUY47  
BUY48  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Continuous Collector Current  
Peak Collector Current  
V
V
V
150  
120  
200  
170  
V
V
V
A
A
W
W
°C  
°C/W  
°C/W  
CBO  
CEO  
EBO  
6.0  
7.0  
10  
10  
1.0  
I
C
I
CM  
Power Dissipation (T =50°C)  
P
P
C
D
D
Power Dissipation (T =25°C)  
A
Operating and Storage Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T , T  
-65 to +200  
J
stg  
JC  
JA  
Θ
Θ
15  
Thermal Resistance  
175  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
I
I
I
I
V
V
V
V
=80V (BUY47)  
=100V (BUY48)  
10  
10  
1.0  
1.0  
μA  
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CBO  
CEO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
FE  
FE  
T
ob  
CB  
CB  
CB  
CB  
μA  
mA  
mA  
V
V
V
V
V
V
V
=80V, T =125°C (BUY47)  
C
=100V, T =125°C (BUY48)  
C
BV  
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
f
C
I =1.0mA (BUY47)  
150  
200  
120  
170  
6.0  
C
I =1.0mA (BUY48)  
C
I =20mA (BUY47)  
C
I =20mA (BUY48)  
C
I =1.0mA  
E
I =2.0A, I =200mA  
0.45  
1.0  
1.1  
1.5  
C
B
B
B
B
I =5.0A, I =500mA  
C
I =2.0A, I =200mA  
V
V
C
I =5.0A, I =500mA  
C
V
=5.0V, I =500mA  
40  
40  
15  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CC  
CC  
C
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =2.0A  
C
=5.0V, I =5.0A  
C
=10V, I =100mA  
50  
MHz  
pF  
μs  
C
=50V, I =0, f=1.0MHz  
80  
1.0  
2.0  
E
t
t
=40V, I =5.0A, I =I =500mA  
on  
off  
C
B1 B2  
=40V, I =5.0A, I =I =500mA  
B1 B2  
μs  
C
R0 (26-July 2013)  
123

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