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BUX34

更新时间： 2024-01-26 12:54:39

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SEME-LAB		晶体晶体管开关
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2页	22K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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BUX34 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Not Recommended	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-205AD	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	70 MHz
Base Number Matches：	1

BUX34 数据手册

BUX34

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm(inches)

NPN SILICON

TRANSISTOR

8.51 (0.34)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

FEATURES

0.89

(0.035)

max.

12.70

(0.500)

min.

• FAST SWITCHING

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

dia.

• HIGH PULSE POWER

5.08 (0.200)

typ.

2.54

(0.100)

APPLICATIONS

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

• POWER SWITCHING CIRCUITS

• MOTOR CONTROL

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

45°

TO39 (TO-205AD)

Pin 2 = Base Pin 3 = Collector

Pin 1 = Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_case= 25°C unless otherwise stated)

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

120V

60V

CBO

CEO

EBO

Maximum Collector Current

Maximum Base Current

Total Power Dissipation at T

≤ 25°C

20W

tot

case

0.87W

7.5°C/W

172.4°C/W

-65°C to +175°C

tot

amb

Thermal Resistance Junction to Case

θJC

θJA

Thermal Resistance Junction to Ambient

Maximum Junction And Storage Temperature Range

T ,T

stg

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Document Number 6390

Issue 1

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