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BUX37

更新时间: 2024-02-22 20:01:30
品牌 Logo 应用领域
SAVANTIC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 115K
描述
Silicon NPN Power Transistors

BUX37 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:TO-3, 2 PINReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.79外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):15 A集电极-发射极最大电压:400 V
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):20
JEDEC-95代码:TO-204AAJESD-30 代码:O-MBFM-P2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUX37 数据手册

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SavantIC Semiconductor  
Product Specification  
Silicon NPN Power Transistors  
BUX37  
DESCRIPTION  
·With TO-3 package  
·High breakdown voltage  
·DARLINGTON  
APPLICATIONS  
·Power switching  
·Automotive ignition  
·Solenoid drivers  
·Series and shunt regulators.  
PINNING(see fig.2)  
PIN  
1
DESCRIPTION  
Base  
2
Emitter  
Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol  
3
Collector  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
PARAMETER  
Collector-base voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
CONDITIONS  
Open emitter  
VALUE  
UNIT  
V
VCBO  
VEBO  
IC  
400  
Open collector  
7
15  
V
A
IB  
Base current  
4
A
PT  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
TC100ꢀ  
35  
W
Tj  
-65~150  
-65~150  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Rth j-C  
Thermal resistance junction to case  
1.5  
/W  

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