BUX40

更新时间： 2024-02-04 10:44:39

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COMSET		晶体晶体管开关局域网高功率电源
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描述
HIGH CURRENT, HIGH SPEED, HIGH POWER TRANSISTOR

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BUX40 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
集电极-发射极最大电压：	125 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-204AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	Base Number Matches：	1

BUX40 数据手册

NPN BUX40

HIGH CURRENT, HIGH SPEED, HIGH POWER

TRANSISTOR

The BUX41 is silicon multiepitaxial planar NPN transistor in Jedec TO-3.

They are intended for use in switching and linear applications in military and industrial equipment.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

I_B= 0

I_E= 0

I_C= 0

V_BE= -1.5V

V_CEO

125

160

150

V_CBO

V_EBO

V_CEX

V_CER

I_C

_BE= 100Ω

Collector Peak Current

Base Current

t_p= 10ms

I_CM

I_B

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

@ T_C= 25°

P_t

T_J

T_Stg

120

200

-65 to +200

Watts

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

R_thJC

1.46

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25°C unless otherwise noted

Test Condition(s)

Symbol

V_CEO(SUS)

Ratings

Collector-Emitter

Sustaining Voltage (1)

Min Typ Mx Unit

I_C=200 mA

125

I_C=0A , I_E=50 mA

Emitter-Base Voltage

V_EB0

I_CEO

V_CE=100 V , I_B=0A

V_CE= V_CEX, V_BE= -1.5V

V_CE= V_CEX, V_BE= -1.5V, T_case= 125°C

V_EB=5.0 V, I_C=0

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

I_CEX

I_EBO

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