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BUW1015

更新时间： 2024-11-03 22:16:59

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体开关晶体管高压
页数	文件大小	规格书
7页	209K
描述
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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BUW1015 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	TO-247, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	14 A	集电极-发射极最大电压：	700 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	7
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	160 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUW1015 数据手册

BUW1015

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING

NPN POWER TRANSISTOR

■

STMicroelectronics PREFERRED

SALESTYPE

■

HIGH VOLTAGE CAPABILITY (> 1500 V)

VERY HIGH SWITCHING SPEED

APPLICATIONS:

■

HORIZONTAL DEFLECTION FOR HIGH-END

COLOUR TV AND 19" MONITORS

DESCRIPTION

The BUW1015

manufactured

using

Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective

high performance and uses a Hollow Emitter

structure to enhance switching speeds.

TO-247

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

Collector Current

Value

1500

700

Unit

I_CM

Collector Peak Current (t_p< 5 ms)

Base Current

I_B

I_BM

Base Peak Current (t_p< 5 ms)

P_tot

Total Dissipation at T_c= 25 C

160

^oC

T_stg

T_j

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

1/7

February 2002

12 3 4 5 6 7

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