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BUP602D

更新时间： 2024-11-13 22:17:19

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管开关晶体管电动机控制双极性晶体管局域网
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9页	109K
描述
IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Including fast free-wheel diode)

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BUP602D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.38
最大集电极电流 (IC)：	36 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	680 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-218AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
最大上升时间（tr）：	110 ns	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	750 ns	标称接通时间 (ton)：	110 ns

BUP602D 数据手册

BUP 602D

IGBT With Antiparallel Diode

Preliminary data

• Low forward voltage drop

• High switching speed

• Low tail current

• Latch-up free

• Including fast free-wheel diode

Pin 1

Pin 2

Pin 3

Type

Package

Ordering Code

BUP 602D

600V 36A

TO-218 AB

Q67040-A4229-A2

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-gate voltage

600

CGR

Ω

= 20 k

600

Gate-emitter voltage

DC collector current

± 20

T = 25 °C

T = 90 °C

Pulsed collector current, t = 1 ms

Cpuls

T = 25 °C

T = 90 °C

Diode forward current

T = 90 °C

Pulsed diode current, t = 1 ms

Fpuls

T = 25 °C

180

150

Power dissipation

tot

T = 25 °C

Chip or operating temperature

Storage temperature

- 55 ... + 150 °C

- 55 ... + 150

stg

Semiconductor Group

Jul-31-1996

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUP603D	INFINEON	获取价格	IGBT With Antiparallel Diode (Low forward voltage drop High switching speed Low tail curre
BUP604	INFINEON	获取价格	IGBT (Low forward voltage drop High switching speed Low tail current Latch-up free Avalanc
BUP61	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 370V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-3
BUP62	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 420V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-3
BUP63	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 420V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-3
BUP64	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 490V V(BR)DSS \| 5.16A I(D) \| TO-3
BUP65	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 490V V(BR)DSS \| 4.47A I(D) \| TO-3
BUP66	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 520V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-204AA
BUP67	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 520V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| TO-204AA
BUP68	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 370V V(BR)DSS \| 7.93A I(D) \| TO-3