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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 50 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK482-200A115 | NXP |
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TRANSISTOR 2 A, 200 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK482-200A135 | NXP |
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TRANSISTOR 2 A, 200 V, 0.9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK482-60A | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK482-60A-T | NXP |
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TRANSISTOR 2.7 A, 60 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK483-60A | NXP |
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PowerMOS transistor |
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| BUK483-60A-T | NXP |
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TRANSISTOR 3.2 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK483-60ATRL | NXP |
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TRANSISTOR 3.2 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK483-60ATRL13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 3.2 A, 60 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK4D110-20P | NEXPERIA |
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20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| BUK4D122-20P | NEXPERIA |
获取价格 |
20 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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