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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK416-100AE | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK416-100BE | NXP |
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TRANSISTOR 100 A, 100 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Powe |
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| BUK416-200AE | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK416-200AE | NXP |
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TRANSISTOR 63 A, 200 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK416-200BE | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK416-200BE | NXP |
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TRANSISTOR 63 A, 200 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK417-500AE | NXP |
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TRANSISTOR 32 A, 500 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK417-500AE | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK417-500BE | NXP |
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TRANSISTOR 28 A, 500 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK417-500BE | PHILIPS |
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Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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