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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 100 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-D4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BUK416-200AE | PHILIPS | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK416-200AE | NXP | TRANSISTOR 63 A, 200 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK416-200BE | PHILIPS | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK416-200BE | NXP | TRANSISTOR 63 A, 200 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK417-500AE | NXP | TRANSISTOR 32 A, 500 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK417-500AE | PHILIPS | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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