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BU99901GUZ-W

更新时间: 2024-01-04 16:35:32
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罗姆 - ROHM 存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器时钟
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12页 281K
描述
Silicon Monolithic Integrated Circuit

BU99901GUZ-W 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:ROHS COMPLIANT, WLCSP-6针数:6
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.62
Is Samacsys:N最大时钟频率 (fCLK):0.4 MHz
JESD-30 代码:R-PBGA-B6JESD-609代码:e1
长度:1.76 mm内存密度:32768 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:6
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:VFBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:SERIAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:0.35 mm
串行总线类型:I2C最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL端子节距:0.5 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:1.05 mm最长写入周期时间 (tWC):5 ms
Base Number Matches:1

BU99901GUZ-W 数据手册

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◇AC OPERATING CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified Ta=-40~85℃、VCC=1.7~3.6V)  
FAST-MODE  
STANDARD-MODE  
1.7V≦VCC≦3.6V  
2.5V≦VCC≦3.6V  
Parameter  
Symbol  
Unit  
Min. Typ. Max. Min. Typ. Max.  
Clock Frequency  
fSCL  
tHIGH  
tLOW  
0.6  
1.2  
0.6  
0.6  
0
400  
0.3  
0.3  
0.9  
5
4.0  
4.7  
4.0  
4.7  
0
100  
1.0  
0.3  
3.5  
5
kHz  
μs  
μs  
μs  
μs  
μs  
μs  
ns  
Data Clock High Period  
Data Clock Low Period  
SDA and SCL Rise Time  
SDA and SCL Fall Time  
Start Condition Hold Time  
Start Condition Setup Time  
Input Data Hold Time  
Input Data Setup Time  
Output Data Delay Time  
Output Data Hold Time  
Stop Condition Setup Time  
Bus Free Time  
*1  
*1  
tR  
tF  
tHD:STA  
tSU:STA  
tHD:DAT  
tSU:DAT 100  
250  
0.2  
0.2  
4.7  
4.7  
0
ns  
tPD  
tDH  
0.1  
0.1  
0.6  
1.2  
0
μs  
μs  
μs  
μs  
ms  
tSU:STO  
tBUF  
Write Cycle Time  
tWR  
Noise Spike Width (SDA and SCL)  
WP Hold Time  
tI  
0.1  
0.1  
μs  
ns  
tHD:WP  
tSU:WP  
WP Setup Time  
0.1  
0.1  
1.0  
μs  
μs  
WP High Period  
tHIGH:WP 1.0  
*1:Not 100% TESTED  
REV. A  

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