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BU9832GUL-WE2

更新时间： 2024-01-14 23:12:44
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罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
19页 504K
描述
WL-CSP EEPROM family SPI BUS

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BU9832GUL-WE2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：ROHS COMPLIANT, VCSP-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51Factory Lead Time：11 weeks
风险等级：5.75最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz
数据保留时间-最小值：40耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-PBGA-B8长度：2.09 mm
内存密度：8192 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：1024 words
字数代码：1000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA8,3X3,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：SERIAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：0.55 mm串行总线类型：SPI
最大待机电流：0.000002 A子类别：EEPROMs
最大压摆率：0.003 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：1.8 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.85 mm
最长写入周期时间 (tWC)：5 ms写保护：HARDWARE
Base Number Matches：1

BU9832GUL-WE2 数据手册

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Technical Note  
BU9832GUL-W  
● Recommended action conditions  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
1.8~5.5  
0~Vcc  
Unit  
V
Power source voltage  
Input voltage  
Vcc  
Vin  
● Memory cell characteristics (Ta=25℃, Vcc=1.8~5.5V)  
Limits  
Typ. Max  
Parameter  
Unit  
Min.  
*1  
Number of data rewrite times  
1,000,000  
–
–
–
–
Times  
Years  
*1  
Data hold years  
40  
*1 : Not 100% TESTED  
● Input / output capacity (Ta=25℃, frequency=5MHz)  
Limits  
Parameter  
Input capacity  
Symbol  
Unit  
Conditions  
Min.  
–
Max  
8
*1  
*1  
CIN  
pF  
pF  
VIN=GND  
Output capacity  
COUT  
–
8
VOUT=GND  
*1 : Not 100% TESTED  
●Electrical characteristics (Unless otherwise specified, Ta=-40~+85℃, Vcc=1.8~5.5V)  
Limits  
Symbol  
Unit  
Parameter  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
“H” input voltage 1  
“L” input voltage 1  
“L” output voltage 1  
“L” output voltage 2  
“H” output voltage 1  
“H” output voltage 2  
Input leak current  
Output leak current  
VIH1 0.7xVcc  
–
Vcc+0.3  
V
V
1.8≦Vcc≦5.5V  
1.8≦Vcc≦5.5V  
VIL1  
VOL1  
VOL2  
-0.3  
0
–
–
–
–
–
–
–
0.3xVcc  
0.4  
V
IOL=2.1mA(Vcc=2.5V~5.5V)  
IOL=150µA(Vcc=1.8V~2.5V)  
IOH=-0.4mA(Vcc=2.5V~5.5V)  
IOH=-100µA(Vcc=1.8V~2.5V)  
VIN=0~Vcc  
0
0.2  
V
VOH1 Vcc-0.5  
VOH2 Vcc-0.2  
Vcc  
Vcc  
1
V
V
ILI  
-1  
-1  
µA  
µA  
ILO  
1
VOUT=0~Vcc, CS =Vcc  
Vcc=1.8V,fSCK=2MHz, tE/W=5ms  
mA Byte write, Page write, Write status  
register  
Vcc=2.5V,fSCK=5MHz, tE/W=5ms  
mA Byte write, Page write, Write status  
register  
Vcc=5.5V,fSCK=5MHz, tE/W=5ms  
mA Byte write, Page write, Write status  
register  
ICC1  
ICC2  
ICC3  
–
–
–
–
–
–
1.0  
2.0  
3.0  
Current consumption  
at write action  
Vcc=2.5V,fSCK=5MHz  
Read, Read status register  
ICC4  
ICC5  
ISB  
–
–
–
–
–
–
1.5  
2.0  
2
mA  
Current consumption  
at read action  
Vcc=5.5V,fSCK=5MHzN  
mA  
Read, Read status register  
Vcc=5.5V  
SCK=SI=Vcc or=GND,SO=OPEN  
Standby current  
µA  
○This product is not designed for protection against radioactive rays.  
www.rohm.com  
© 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2010.10 - Rev.A  
2/18  
1234567...19

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