BU323

更新时间： 2024-09-28 06:44:31

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	198K
描述
Silicon Darlington NPN Power Transistor

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BU323 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon Darlington NPN Power Transistor

BU323

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 350V(Min.)

·High Reliability

APPLICATIONS

·Automotive ignition

·Switching regulator

·Motor control applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current- Continuous

Collector Current-Peak

Base Current

VALUE

500

350

UNIT

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

175

200

-65~200

℃

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

1.0

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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