BU323AP

更新时间： 2024-09-28 09:02:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	93K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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BU323AP 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
Base Number Matches：	1

BU323AP 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

BU323AP

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·DARLINGTON

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·Designed for automotive ignition,switching

regulator and motor control applications.

PINNING(see fig.2)

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Absolute maximum ratings (Tc=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

400

UNIT

V_CEO(SUS)

V_CEV

V_EBO

I_C

Open base

475

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

P_D

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

125

℃

T_j

-65~200

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

R_{th j-C}

Thermal resistance junction to case

1.0

℃/W

12 3

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