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BU2008-E3/72

更新时间： 2024-11-23 21:16:03

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
6页	107K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

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BU2008-E3/72 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.78
其他特性：	UL RECOGNIZED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	240 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最大输出电流：	3.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BU2008-E3/72 数据手册

New Product

BU2006 thru BU2010

Vishay General Semiconductor

High-Current Density Single-Phase Bridge Rectifiers

FEATURES

Case Style BU

• UL recognition file number E309391

(QQQX2) UL 1557 (see *)

• Thin single in-line package

• Superior thermal conductivity

• Solder dip 260 °C, 40 seconds

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC

and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

General purpose use in ac-to-dc bridge full wave

rectification for switching power supply, home

appliances and white-goods applications.

* Tested to UL standard for safety electrically isolated semiconductor

devices. UL 1557 4th edition.

Dielectric tested to maximum case, storage and junction

temperature to 150 °C to withstand 1500 V.

MECHANICAL DATA

Case: BU

Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating.

Terminals: Matte tin plated leads, solderable per

J-STD-002B and JESD22-B102D

E3 suffix for commercial grade, meets JESD 201 class

1A whisker test

PRIMARY CHARACTERISTICS

I_F(AV)

20 A

600 V, 800 V, 1000 V

240 A

Polarity: As marked on body

Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 inches-lbs) max.

Recommended Torque: 5.7 cm-kg (5 inches-lbs)

V_RRM

I_FSM

I_R

5 µA

V_Fat I_F= 10 A

T_Jmax.

0.85 V

150 °C

MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

BU2006

BU2008

BU2010

UNIT

Maximum repetitive peak reverse voltage

V_RRM

600

800

1000

_C= 61 °C ⁽¹⁾

T_A= 25 °C ⁽²⁾

3.5

Average rectified forward current (Fig. 1, 2)

I_O

Non-repetitive peak forward surge current

8.3 ms single sine-wave, T_J= 25 °C

I_FSM

240

Rating for fusing (t < 8.3 ms) T_J= 25 °C

I²t

239

A²s

°C

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

- 55 to + 150

Notes:

(1) With 60 W air cooled heatsink

(2) Without heatsink, free air

Document Number: 84804

Revision: 24-Aug-07

www.vishay.com

12 3 4 5 6

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与BU2008-E3/72相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BU2008-LF	VISHAY	获取价格	DIODE 3.5 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLAS
BU2008-M3/45	VISHAY	获取价格	20A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU2008-M3/51	VISHAY	获取价格	20A,800V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU2010	VISHAY	获取价格	Enhanced PowerBridge Rectifiers
BU20105S-E3/45	VISHAY	获取价格	RECTFR BRIDGE SGL 1KV 3.5A 4PIN CASE BU-5S - Rail/Tube
BU20105S-LF	VISHAY	获取价格	DIODE 3.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLA
BU20105S-M3/45	VISHAY	获取价格	20A,1000V,STD,INLINE POWER BRIDGE
BU2010-E3/45	VISHAY	获取价格	RECTIFIER BRIDGE 1000V 20A BU
BU2010-E3/51	VISHAY	获取价格	RECTFR BRIDGE SGL 1KV 3.5A 4PIN CASE BU - Bulk
BU2010-E3/72	VISHAY	获取价格	DIODE 3.5 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4, B

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