5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 70 mA | 最大漏电流： | 6 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 200 A | 最大通态电流： | 25000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 断态重复峰值电压： | 800 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BTW38-600R | ASI |
获取价格 |
TRIAC, 600V V(DRM), 10000mA I(T), 16A I(T)RMS, TO-48, TO-48, 2 PIN |
|
| BTW38-800R | PHILIPS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 800V V(DRM), |
|
| BTW39-1000M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 |
|
| BTW39-100M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 |
|
| BTW39-1200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25A, 1200V, SCR, TO-48 |
|
| BTW39-1200M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 |
|
| BTW39-200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25A, 200V, SCR, TO-48 |
|
| BTW39-200M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 |
|
| BTW39-400 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25A, 400V, SCR, TO-48 |
|
| BTW39-400M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
