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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | FAST |
| 外壳连接： | ANODE | 标称电路换相断开时间： | 20 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 200 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 70 mA | JEDEC-95代码： | TO-48 |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-D2 | 最大漏电流： | 6 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 200 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电流： | 25000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 25 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 50 µA |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BTW30-1000M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),25A I(T),TO-208AA |
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| BTW30-1200 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25A, 1200V, SCR, TO-48 |
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| BTW30-1200M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),25A I(T),TO-208AA |
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| BTW30-600 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25A, 600V, SCR, TO-48 |
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| BTW30-600M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),25A I(T),TO-208AA |
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| BTW30-800 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
25A, 800V, SCR, TO-48 |
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| BTW30-800M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),25A I(T),TO-208AA |
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| BTW38-600R | ASI |
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TRIAC, 600V V(DRM), 10000mA I(T), 16A I(T)RMS, TO-48, TO-48, 2 PIN |
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| BTW38-800R | PHILIPS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 10000mA I(T), 800V V(DRM), |
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| BTW39-1000M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),25A I(T),TO-208VARM6 |
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