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BTS621L1E3128ABTMA1

更新时间： 2024-01-21 20:45:32

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英飞凌 - INFINEON		驱动接口集成电路
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15页	337K
描述
Buffer/Inverter Based Peripheral Driver,

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技术参数
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BTS621L1E3128ABTMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220, 7/6 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.69	内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
长度：	9.9 mm	功能数量：	1
端子数量：	6	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	8.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	座面最大高度：	4.6 mm
最大供电电压：	34 V	最小供电电压：	5 V
标称供电电压：	12 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	断开时间：	400 µs
接通时间：	400 µs	宽度：	9.2 mm
Base Number Matches：	1

BTS621L1E3128ABTMA1 数据手册

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PROFET

BTS621L1

Parameter and Conditions, each channel

Symbol

Values

Unit

at Tj = 25 °C, V = 12 V unless otherwise specified

min

2.5

typ

max

12)

Input and Status Feedback

Input resistance

R_I

3.5

kΩ

T_j=-40..150°C, see circuit page 7

Input turn-on threshold voltage

Input turn-off threshold voltage

Input threshold hysteresis

T_j=-40..+150°C: V_IN(T+)

T_j=-40..+150°C: V_IN(T-)

∆ V_IN(T)

1.7

1.5

0.5

3.5

Off state input current (pin 3 or 6), V_IN= 0.4 V,

I_IN(off)

µA

T_j=-40..+150°C

On state input current (pin 3 or 6), V_IN= 3.5 V,

T_j=-40..+150°C

I_IN(on)

µA

µs

Delay time for status with open load after switch

t_{d(ST OL4)}

100

320

800

off (other channel in off state)

(see timing diagrams, page 12), T_j=-40..+150°C

Delay time for status with open load after switch

t_{d(ST OL5)}

t_d(ST)

µs

off (other channel in on state)

(see timing diagrams, page 12), T_j=-40..+150°C

Status invalid after positive input slope

200

600

(open load)

T =-40 ... +150°C:

Status output (open drain)

Zener limit voltage T =-40...+150°C, I_ST= +1.6 mA: V_ST(high)

ST low voltage

5.4

6.1

0.4

0.6

T =-40...+25°C, I_ST= +1.6 mA: V_ST(low)

T = +150°C, I_ST= +1.6 mA:

12)

If a ground resistor R

is used, add the voltage drop across this resistor.

GND

Semiconductor Group

2003-Oct-01

1...3 4 567 8 9...15

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