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BTS426L1E3043

更新时间： 2024-02-17 00:29:03
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英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关局域网
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14页 327K
描述
Smart Highside Power Switch

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BTS426L1E3043 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.66
Is Samacsys：N内置保护：OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
输入特性：SCHMITT TRIGGER接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSFM-T5功能数量：1
端子数量：5输出特性：OPEN-SOURCE
输出电流流向：SOURCE标称输出峰值电流：32 A
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大压摆率：3.5 mA
最大供电电压：34 V最小供电电压：5 V
标称供电电压：12 V表面贴装：NO
技术：MOS端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE断开时间：450 µs
接通时间：400 µsBase Number Matches：1

BTS426L1E3043 数据手册

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BTS426L1  
Inductive Load switch-off energy dissipation  
E
GND disconnect with GND pull up  
bb  
E
AS  
3
E
V
Load  
bb  
IN  
V
2
bb  
IN  
OUT  
PROFET  
5
OUT  
PROFET  
ST  
4
=
ST  
GND  
1
E
L
GND  
L
Z
{
R
L
V
V
L
E
R
V
V
IN ST  
GND  
bb  
Any kind of load. If VGND > VIN - VIN(T+) device stays off  
Due to VGND >0, no VST = low signal available.  
Energy stored in load inductance:  
2
L
V
disconnect with energized inductive load  
1
bb  
E = / ·L·I  
L
2
While demagnetizing load inductance, the energy dissipated in  
PROFET is  
3
V
high  
bb  
IN  
EAS= Ebb + EL - ER= VON(CL)·iL(t) dt,  
2
OUT  
PROFET  
with an approximate solution for RL > 0Ω:  
5
ST  
IL·L  
2·RL  
IL·RL  
|VOUT(CL)|  
4
GND  
1
E =  
AS  
·(Vbb +|VOUT(CL)|)· ln (1+  
)
Maximum allowable load inductance for  
a single switch off  
L = f (IL ); Tj,start = 150°C,TC = 150°C const.,  
Vbb = 12V, RL = 0Ω  
V
bb  
Normal load current can be handled by the PROFET itself.  
L [mH]  
V
load  
disconnect with charged external inductive  
bb  
10000  
S
3
V
high  
bb  
IN  
1000  
100  
10  
2
OUT  
PROFET  
5
D
ST  
4
GND  
1
V
bb  
If other external inductive loads L are connected to the PROFET, additional  
elements like D are necessary.  
1
2
7
12  
17  
[A]  
I
L
Semiconductor Group  
8
2003-Oct-01  
1...567891011...14

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