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BTA416Y-800C,127

更新时间： 2024-01-17 05:41:42

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恩智浦 - NXP		局域网栅三端双向交流开关栅极
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描述
BTA416Y-800C

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BTA416Y-800C,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.64	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大均方根通态电流：	16 A
参考标准：	IEC-60134	断态重复峰值电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：	1

BTA416Y-800C,127 数据手册

BTA416Y-800C

NXP Semiconductors

3Q Hi-Com Triac

4. Limiting values

Table 4.

Limiting values

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol

V_DRM

Parameter

Conditions

Min

Max

800

Unit

repetitive peak off-state voltage

RMS on-state current

I_T(RMS)

full sine wave; T_mb≤ 108 °C;

see Figure 1; see Figure 2; see Figure 3

I_TSM

non-repetitive peak on-state

current

full sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 20 ms; see Figure 4; see Figure 5

160

176

full sine wave; T_j(init)= 25 °C;

t_p= 16.7 ms

I²t

I²t for fusing

t_p= 10 ms; sine-wave pulse

128

100

A²s

A/µs

dI_T/dt

I_GM

rate of rise of on-state current

peak gate current

I_T= 20 A; I_G= 0.2 A; dI_G/dt = 0.2 A/µs

P_GM

P_G(AV)

T_stg

T_j

peak gate power

average gate power

storage temperature

junction temperature

over any 20 ms period

-40

150

°C

003aab819

003aab820

T(RMS)

(A)

−50

−2

−1

100

150

(°C)

surge duration (s)

Fig 1. RMS on-state current as a function of surge

duration; maximum values

Fig 2. RMS on-state current as a function of mounting

base temperature; maximum values

BTA416Y-800C

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Product data sheet

Rev. 3 — 24 June 2011

3 of 13

1 234 5 6 7...13

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与BTA416Y-800C,127相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BTA41-700A	ETC	TRIAC\|700V V(DRM)\|40A I(T)RMS\|TO-218	获取价格
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