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BTA312B-600E

更新时间： 2024-11-22 17:02:11
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瑞能 - WEEN /
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13页 286K
描述
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT404 (D2PAK) surface mountable plas

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BTA312B-600E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：D2PAK-3/2Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.55
其他特性：SENSITIVE GATE外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A参考标准：IEC-60134
断态重复峰值电压：600 V表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BTA312B-600E 数据手册

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BTA312B-600E  
3Q Hi-Com Triac  
20 August 2018  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT404 (D2PAK) surface mountable  
plastic package. This "series E" triac balances the requirements of commutation performance and  
gate sensitivity. The "sensitive gate" "series E" is intended for interfacing with low power drivers  
including microcontrollers.  
2. Features and benefits  
•
3Q technology for improved noise immunity  
•
•
•
•
•
•
•
•
Direct interfacing with low power drivers and microcontrollers  
Good immunity to false turn-on by dV/dt  
High commutation capability with sensitive gate  
High voltage capability  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Sensitive gate for easy logic level triggering  
Surface mountable package  
Triggering in three quadrants only  
3. Applications  
•
•
Electronic thermostats (heating and cooling)  
High power motor controls e.g. washing machines and vacuum cleaners  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
600  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 100 °C; Fig. 1;  
Fig. 2; Fig. 3  
-
-
-
-
-
-
-
-
12  
A
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
state current  
100  
110  
125  
A
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5  
full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
tp = 16.7 ms  
A
Tj  
junction temperature  
°C  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
2
-
10  
mA  
 
 
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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