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BTA312-600E

更新时间： 2024-11-10 17:01:27
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瑞能 - WEEN /
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13页 221K
描述
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78 (TO-220AB) plastic package. Thi

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BTA312-600E 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.57其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
参考标准：IEC-60134断态重复峰值电压：600 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BTA312-600E 数据手册

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BTA312-600E  
3Q Hi-Com Triac  
19 September 2018  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT78 (TO-220AB) plastic package.  
This "series E" triac balances the requirements of commutation performance and gate sensitivity.  
The "sensitive gate" "series E" is intended for interfacing with low power drivers including  
microcontrollers.  
2. Features and benefits  
•
3Q technology for improved noise immunity  
•
•
•
•
•
•
•
Direct interfacing with low power drivers and microcontrollers  
Good immunity to false turn-on by dV/dt  
High commutation capability with sensitive gate  
High voltage capability  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Sensitive gate for easy logic level triggering  
Triggering in three quadrants only  
3. Applications  
•
•
Electronic thermostats (heating and cooling)  
High power motor controls e.g. washing machines and vacuum cleaners  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
600  
V
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave; Tmb ≤ 100 °C; Fig. 1;  
Fig. 2; Fig. 3  
-
-
-
-
-
-
-
-
12  
A
non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
state current  
100  
110  
125  
A
tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5  
full sine wave; Tj(init) = 25 °C;  
tp = 16.7 ms  
A
Tj  
junction temperature  
°C  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
-
-
-
10  
10  
mA  
mA  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-;  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
 
 
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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