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BTA212-800F

更新时间： 2024-11-21 00:00:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 可控硅
页数 文件大小 规格书
7页 50K
描述
Three quadrant triacs guaranteed commutation

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BTA212-800F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.76外壳连接：MAIN TERMINAL 2
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us
最大直流栅极触发电流：25 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：30 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A重复峰值关态漏电流最大值：500 µA
断态重复峰值电压：800 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：TRIACBase Number Matches：1

BTA212-800F 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
guaranteed commutation  
BTA212 series D, E and F  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated guaranteed commutation  
triacs in a plastic envelope intended for  
use in motor control circuits or with other  
highly inductive loads. These devices  
balance the requirements of commutation  
performance and gate sensitivity. The  
"sensitive gate" E series and "logic level"  
D series are intended for interfacing with  
low power drivers, including micro  
controllers.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. UNIT  
BTA212-  
BTA212-  
BTA212-  
600D  
600E 800E  
600F  
600  
800F  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
V
IT(RMS)  
ITSM  
12  
95  
12  
95  
A
A
PINNING - TO220AB  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
tab  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
G
1 2 3  
tab main terminal 2  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-600  
6001  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave;  
12  
A
Tmb ≤ 99 ˚C  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 20 ms  
-
-
-
95  
105  
45  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
t = 10 ms  
A2s  
A/µs  
dIT/dt  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
100  
IGM  
-
-
-
-
2
5
5
A
V
W
W
VGM  
PGM  
PG(AV)  
over any 20 ms  
period  
0.5  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-40  
-
150  
125  
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
February 2000  
1
Rev 1.000  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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