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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BTA212B-800E
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BTA212B-800E

更新时间： 2024-11-20 22:27:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关
页数 文件大小 规格书
6页 50K
描述
Three quadrant triacs guaranteed commutation

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BTA212B-800E 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：PLASTIC, SOT-404, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.23其他特性：SENSITIVE GATE
外壳连接：MAIN TERMINAL 2配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us最大直流栅极触发电流：10 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：12 mA
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3最大漏电流：0.5 mA
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
重复峰值关态漏电流最大值：500 µA断态重复峰值电压：800 V
子类别：TRIACs表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIACBase Number Matches：1

BTA212B-800E 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Three quadrant triacs  
guaranteed commutation  
BTA212B series D, E and F  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated guaranteed commutation  
triacs in a plastic envelope suitable for  
surface mounting intended for use in  
motor control circuits or with other highly  
inductive loads. These devices balance  
the requirements of commutation  
performance and gate sensitivity. The  
"sensitive gate" E series and "logic level"  
D series are intended for interfacing with  
low power drivers, including micro  
controllers.  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX. MAX. UNIT  
BTA212B-  
BTA212B-  
BTA212B-  
600D  
-
600E 800E  
600F 800F  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
600  
800  
V
IT(RMS)  
ITSM  
12  
95  
12  
95  
A
A
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
main terminal 1  
mb  
T2  
T1  
2
main terminal 2  
gate  
3
2
mb main terminal 2  
1
3
G
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
V
-600  
6001  
-800  
800  
VDRM  
Repetitive peak off-state  
voltages  
-
-
IT(RMS)  
ITSM  
RMS on-state current  
full sine wave;  
12  
A
Tmb ≤ 99 ˚C  
Non-repetitive peak  
on-state current  
full sine wave;  
Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 20 ms  
-
-
-
95  
105  
45  
A
A
t = 16.7 ms  
I2t  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
t = 10 ms  
A2s  
A/µs  
dIT/dt  
ITM = 20 A; IG = 0.2 A;  
dIG/dt = 0.2 A/µs  
100  
IGM  
-
-
-
-
2
5
5
A
V
W
W
VGM  
PGM  
PG(AV)  
over any 20 ms  
period  
0.5  
Tstg  
Tj  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-40  
-
150  
125  
˚C  
˚C  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the triac may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
February 2000  
1
Rev 1.000  
123456

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