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BTA201-800ER

更新时间： 2024-11-25 17:01:51
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瑞能 - WEEN /
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13页 843K
描述
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a SOT54 (TO-92) plastic package. This "

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BTA201-800ER 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.63
Is Samacsys：N其他特性：SENSITIVE GATE
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：1 A
参考标准：IEC-60134断态重复峰值电压：800 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches：1

BTA201-800ER 数据手册

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BTA201-800ER  
3Q Hi-Com Triac  
Rev.03 - 19 October 2021  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated high commutation three quadrant triac in a TO92 plastic package. This "series  
ER" triac balances the requirements of commutation performance and gate sensitivity and is  
intended for interfacing with low power drivers and logic ICs including microcontrollers. It has  
reverse pinning to that of the standard triac in this package.  
2. Features and benefits  
•
3Q technology for improved noise immunity  
•
•
•
•
•
•
•
•
Direct triggering from low power drivers and logic ICs  
High commutation capability with sensitive gate  
High immunity to false turn-on by dV/dt  
High voltage capability  
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Reverse pinning version (ER)  
Sensitive gate for easy logic level triggering  
Triggering in three quadrants only  
3. Applications  
•
•
•
General purpose motor control circuits  
Small loads in washing machines  
Solenoid drivers  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Absolute maximum rating  
VDRM  
repetitive peak off-  
state voltage  
-
-
-
-
800  
1
V
A
IT(RMS)  
RMS on-state current  
full sine wave; Tlead ≤ 54 °C;  
Fig. 1; Fig. 2; Fig. 3  
Static characteristics  
IGT gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
1
1
1
-
-
-
10  
10  
10  
mA  
mA  
mA  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-  
Tj = 25 °C; Fig. 7  
1234567...13

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