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BT258U-500R

更新时间： 2024-11-11 22:17:39
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
6页 54K
描述
Thyristors logic level

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BT258U-500R 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-251
包装说明：PLASTIC, IPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.83外壳连接：ANODE
标称电路换相断开时间：100 µs配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us最大直流栅极触发电流：0.2 mA
最大直流栅极触发电压：1.5 V最大维持电流：6 mA
JEDEC-95代码：TO-251JESD-30 代码：R-PSIP-T3
最大漏电流：0.5 mA通态非重复峰值电流：75 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：5000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：8 A
断态重复峰值电压：500 V重复峰值反向电压：500 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
触发设备类型：SCR

BT258U-500R 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
Thyristors  
logic level  
BT258U series  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
Passivated, sensitive gate thyristors  
in a plastic envelope, intended for use  
in general purpose switching and  
phase control applications. These  
devices are intended to be interfaced  
directly to microcontrollers, logic  
integrated circuits and other low  
power gate trigger circuits.  
SYMBOL PARAMETER  
MAX. MAX. MAX. UNIT  
BT258U- 500R 600R 800R  
VDRM  
VRRM  
IT(AV)  
,
Repetitive peak off-state  
500  
600  
800  
V
voltages  
Average on-state current  
RMS on-state current  
Non-repetitive peak on-state  
current  
5
8
75  
5
8
75  
5
8
75  
A
A
A
IT(RMS)  
ITSM  
PINNING - SOT533  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
NUMBER  
DESCRIPTION  
a
k
1
2
cathode  
anode  
gate  
3
g
1
2
3
Top view  
MBK915  
tab  
anode  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
-500R -600R -800R  
VDRM, VRRM Repetitive peak off-state  
voltages  
-
5001  
6001  
800  
V
IT(AV)  
IT(RMS)  
ITSM  
Average on-state current half sine wave; Tmb ≤ 111 ˚C  
-
-
5
8
A
A
RMS on-state current  
Non-repetitive peak  
on-state current  
all conduction angles  
half sine wave; Tj = 25 ˚C prior to  
surge  
t = 10 ms  
-
-
-
-
75  
82  
28  
50  
A
A
t = 8.3 ms  
t = 10 ms  
ITM = 10 A; IG = 50 mA;  
dIG/dt = 50 mA/µs  
I2t  
dIT/dt  
I2t for fusing  
Repetitive rate of rise of  
on-state current after  
triggering  
A2s  
A/µs  
IGM  
Peak gate current  
Peak gate voltage  
Peak reverse gate voltage  
Peak gate power  
Average gate power  
Storage temperature  
Operating junction  
temperature  
-
2
5
A
V
V
W
W
˚C  
˚C  
VGM  
VRGM  
PGM  
PG(AV)  
Tstg  
-
-
5
-
-
5
over any 20 ms period  
0.5  
150  
1252  
-40  
-
Tj  
1 Although not recommended, off-state voltages up to 800V may be applied without damage, but the thyristor may  
switch to the on-state. The rate of rise of current should not exceed 15 A/µs.  
2 Note: Operation above 110˚C may require the use of a gate to cathode resistor of 1kΩ or less.  
March 1999  
1
Rev 1.000  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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