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BT149G

更新时间： 2024-11-14 17:01:19
品牌 Logo 应用领域
瑞能 - WEEN /
页数 文件大小 规格书
14页 559K
描述
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier with sensitive gate in a SOT54 (TO-92) plastic package. This SCR is designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic ICs and other low power gate trigger circuits.

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BT149G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SC-43A, 3 PINReach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.62
其他特性：SENSITIVE GATE配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：0.2 mAJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：0.8 A参考标准：IEC-60134
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
表面贴装：NO端子面层：TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

BT149G 数据手册

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BT149G  
SCR  
Rev.02 - 12 October 2021  
Product data sheet  
1. General description  
Planar passivated Silicon Controlled Rectifier with sensitive gate in a TO92 plastic package. This  
SCR is designed to be interfaced directly to microcontrollers, logic ICs and other low power gate  
trigger circuits.  
2. Features and benefits  
•
Enhanced voltage capability  
•
•
•
•
Planar passivated for voltage ruggedness and reliability  
Sensitive gate  
Direct triggering from low power drivers and logic ICs  
A-G-K reverse pin-out  
3. Applications  
•
General purpose switching and phase control  
4. Quick reference data  
Table 1. Quick reference data  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Absolute maximum rating  
VRRM  
repetitive peak reverse  
-
-
600  
V
voltage  
IT(AV)  
half sine wave; Tlead ≤ 83 °C; Fig. 1  
-
-
-
-
0.5  
0.8  
A
A
average on-state current  
RMS on-state current  
IT(RMS)  
half sine wave; Tlead ≤ 83 °C; Fig. 2;  
Fig. 3  
ITSM  
non-repetitive peak on-  
state current  
half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 10 ms;  
Fig. 4; Fig. 5  
-
-
8
A
half sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 8.3 ms  
-
-
-
-
9
A
Tj  
junction temperature  
125  
°C  
Static characteristics  
IGT  
gate trigger current  
VD = 12 V; IT = 10 mA; Tj = 25 °C; Fig. 7  
-
50  
200  
μA  
Dynamic characteristics  
dVD/dt  
rate of rise of off-state  
voltage  
VDM = 402 V; Tj = 125 °C; RGK = 1 kΩ;  
(VDM = 67% of VDRM); exponential  
waveform; Fig. 12  
500  
800  
-
V/μs  
VDM = 402 V; Tj = 125 °C; (VDM = 67% of  
VDRM); exponential waveform; gate open  
circuit; Fig. 12  
-
25  
-
V/μs  
1234567...14

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与BT149G相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BT149G,412 NXP

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 		BT149G
BT149GAMO NXP

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 0.8 A, 600 V, SCR, TO-92, PLASTIC, SPT, SC-43, TO-92 VARIANT
BT149SERIES ETC

获取价格

 		Thyristors logic level
BT150 UTC

获取价格

 		SCRs
BT150 NXP

获取价格

 		Thyristors logic level
BT-150.000MBC-T ETC

获取价格

 		OSC SO 150.000MHZ LVDS SMD
BT-150.000MCC-T ETC

获取价格

 		OSC SO 150.000MHZ LVDS SMD
BT150_SERIES ETC

获取价格

 		Thyristors logic level
BT150-500 UTC

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 500V V(DRM)
BT150-500R NXP

获取价格

 		Thyristors logic level

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