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BST16TA

更新时间： 2024-02-03 18:35:40

品牌	Logo	应用领域
美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	16K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BST16TA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.21	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	15 MHz	Base Number Matches：	1

BST16TA 数据手册

SOT89 PNP SILICON PLANAR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

BST16

ISSUE 3 – FEBRUARY 1996

✪

FEATURES

High V_CEO

Low saturation voltage

COMPLEMENTARY TYPE –

PARTMARKING DETAIL –

BST39

BT2

SOT89

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

S YMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Co lle cto r-Ba s e Vo lta g e

-350

Co lle cto r-Em itte r Vo lta g e

Em itte r-Ba s e Vo lta g e

-300

-4

Pe ak Pu ls e Cu rren t

-1

-500

Co n tin u o u s Co lle cto r Cu rre n t

Po w e r Dis s ip a tio n a t T_{a m b}=25°C

I_C

m A

°C

P_{to t}

Op e ratin g a n d S to ra g e Te m p e ratu re

Ran g e

T_j:T_{s tg}

-65 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherw ise stated).

am b

PARAMETER

S YMBOL MIN.

TYP.

MAX. UNIT

CONDITIONS .

Co lle cto r-Ba s e

Bre akd o w n Vo ltag e

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

-350

-300

-4

I_C=-100µA

Co lle cto r-Em itte r

Bre akd o w n Vo ltag e

I_C=-1m A

Em itte r-Ba s e

Bre akd o w n Vo ltag e

I_E=-100µA

V_CB=-280V

V_CB=-250V

V_EB=-4V

Co lle cto r Cu t-Off

Cu rre n t

-1

µA

Co lle cto r Cu t-Off

Cu rre n t

I_CEO

-50

-20

Em itte r Cu t-Off Cu rren t I_EBO

Co lle cto r-Em itte r

S atu ra tio n Vo lta g e

V_{CE(s a t)}

- 2.0

-0.5

I_C=-50m A, I_B=-5m A*

I_C=-30m A, I_B=-3m A*

S ta tic Fo rw a rd Cu rren t h_FE

Tra n s fe r Ra tio

150

I_C=-50m A, V_CE=-10V*

Tra n s itio n Fre q u e n cy

f_T

MHz

p F

I_C=-10m A, V_CE=-10V*

f = 30MHz

Ou tp u t Ca p a cita n ce

C_{o b o}

V_CB=-10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%

For typical characteristics graphs see FMMTA92 datasheet.

3 - 76

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BST16TA 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BST15	NXP	功能相似	PNP high-voltage transistors
BFN19	INFINEON	功能相似	PNP Silicon High-Voltage Transistors (Suitable for video output stages in TV sets and swit

与BST16TA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BST16-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig
BST16-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig
BST16TC	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BST16TRL	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig
BST16TRL13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Sig
BST1-BST4	EXAR	获取价格	Quad Channel Digital PWM/PFM Programmable Power Management System
BST-2	DBLECTRO	获取价格	BST-2
BST21P1A	CIT	获取价格	CIT SWITCH
BST21P1B	CIT	获取价格	CIT SWITCH
BST21P1N	CIT	获取价格	CIT SWITCH

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