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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 28 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BSSP107TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 200V, 28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSSP120TRL | YAGEO |
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Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSSP120TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 200V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| BSSP128TRL | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 200V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSSP128TRL13 | YAGEO |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 200V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| BSSQ-101-D-16-T | MAJOR-LEAGUE |
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Board Connector, 2 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Black Insulato |
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| BSSQ-101-S-04-H | MAJOR-LEAGUE |
获取价格 |
Board Connector, 1 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Black Insulato |
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| BSSQ-101-S-06-G | MAJOR-LEAGUE |
获取价格 |
Board Connector, 1 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Wire Wrap Terminal, Black Insul |
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| BSSQ-101-S-06-H | MAJOR-LEAGUE |
获取价格 |
Board Connector, 1 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Wire Wrap Terminal, Black Insul |
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| BSSQ-102-D-04-G | MAJOR-LEAGUE |
获取价格 |
Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal |
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