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BSR58TRL13

更新时间: 2024-11-13 14:50:27
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 33K
描述
5mA, 40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET

BSR58TRL13 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.29配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:40 V最大漏极电流 (ID):0.005 A
最大漏源导通电阻:60 ΩFET 技术:JUNCTION
最大反馈电容 (Crss):5 pFJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

BSR58TRL13 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BSR56; BSR57; BSR58  
N-channel FETs  
April 1991  
Product specification  
File under Discrete Semiconductors, SC07  

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