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BSR19

更新时间: 2024-09-27 22:27:55
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
8页 71K
描述
NPN high-voltage transistors

BSR19 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:SOT-23包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.21Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.3 A基于收集器的最大容量:6 pF
集电极-发射极最大电压:140 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):20JEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.25 VBase Number Matches:1

BSR19 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
ok, halfpage  
BSR19; BSR19A  
NPN high-voltage transistors  
1997 Apr 21  
Product specification  
Supersedes data of September 1994  
File under Discrete Semiconductors, SC04  

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