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BSR20

更新时间： 2024-02-14 10:45:54

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科信 - KEXIN		晶体晶体管高压
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2页	40K
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PNP High-Voltage Transistors

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BSR20 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.52	其他特性：	HIGH VOLTAGE
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	120 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	VCEsat-Max：	0.5 V
Base Number Matches：	1

BSR20 数据手册

SMD Type

Transistors

PNP High-Voltage Transistors

BSR20,BSR20A

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

Features

Low current (max. 300 mA)

High voltage (max. 150 V).

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

1.9

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Symbol

Rating

-130

Unit

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

BSR20

VCBO

BSR20A

BSR20

-160

-120

V^CEO

BSR20A

-150

Emitter-base voltage

Collector current

V^EBO

I^C

I^CM

I^B

-5

-300

Peak collector current

Base current

-600

-100

Total power dissipation *

Storage temperature

Junction temperature

Operating ambient temperature

P^tot

T^stg

250

-65 to +150

150

Ramb

Rth j-a

-65 to +150

500

Thermal resistance from junction to ambient *

K/W

* Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

www.kexin.com.cn

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