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BSR18TRL13

更新时间: 2024-02-05 09:37:36
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恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 68K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

BSR18TRL13 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.74最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):250 ns最大开启时间(吨):70 ns
VCEsat-Max:0.4 VBase Number Matches:1

BSR18TRL13 数据手册

  

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