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BSR18B

更新时间： 2024-02-11 13:36:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器
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PNP General Purpose Amplifier

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BSR18B 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	250 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
VCEsat-Max：	0.4 V	Base Number Matches：	1

BSR18B 数据手册

June 2007

BSR18B

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed as a general purpose amplifier and switch.

Sourced from Process 23.

Marking

T93

SOT-23

1. Base 2. Emitter 3. Collector

Absolute Maximum Ratings * T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CEO

Collector-Emitter Voltage

V_EBO

Emitter-Base Voltage

5.0

I_C

Collector Current (DC)

200

°C

T_J,T_STG

Junction Temperature, Storage Temperature

-55 ~ +150

* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics * T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

230

Total Device Dissipation

Derate above 25℃

mW/℃

1.84

550

R θ JA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

℃/W

*Device mounted on FR-4 PCB 1.6” X 1.6” X 0.06”.

Rev. A

www.fairchildsemi.com

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