BSP75N

更新时间： 2024-01-22 22:03:52

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Smart Lowside Power Switch

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BSP75N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOP,	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.55
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
长度：	6.5 mm	功能数量：	1
端子数量：	4	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	0.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.8 mm
标称供电电压：	12 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.3 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	断开时间：	20 µs
接通时间：	20 µs	宽度：	3.5 mm
Base Number Matches：	1

BSP75N 数据手册

HITFET BSP 75N

Block diagram

V_BB

I_D

V_cc

BSP75N

HITFET

Px.1

I_IN

V_bb

DRAIN

GND

SOURCE

V_DS

V_IN

Figure 8

Application Circuit

Figure 5

Terms

SOURCE

Figure 6

Input Circuit (ESD

protection)

ESD zener diodes are not designed for DC

current.

LOAD

Drain

V_AZ

V_DS

Power

Source

DMOS

I_D

Figure 7

Inductive and Over

voltage Output Clamp

Data Sheet V1.0

2003-01-10

1...6 7 8910 11 12...14

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