BSP75N

更新时间： 2024-01-10 01:27:13

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Smart Lowside Power Switch

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BSP75N 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOP,	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.55
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
长度：	6.5 mm	功能数量：	1
端子数量：	4	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	0.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.8 mm
标称供电电压：	12 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.3 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	断开时间：	20 µs
接通时间：	20 µs	宽度：	3.5 mm
Base Number Matches：	1

BSP75N 数据手册

HITFET BSP 75N

EMC-Characteristics

The following EMC-Characteristics outline the behavior of typical devices. They are not

part of any production test.

Table 1

Test Conditions

Parameter

Temperature

Symbol Value

Unit

°C

Remark

T_A

V_S

R_L

23 5

13.5

–

Supply Voltage

Load

–

Ω

ohmic

Operation mode

PWM

–

f_INx=100Hz, D=0.5

ON / OFF

DUT specific

V_IN(’HIGH’)=5V

Fast electrical transients

acc. to ISO 7637

Max.

Test¹⁾

Test Result

Pulse Cycle Time

and Generator

Impedance

Test

OFF

Pulse

Level

-200V

+200V

-200V

+200V

-7V

500ms ; 10Ω

100ms ; 50Ω

0.01Ω

175V

E(65V)

E(75V)

400ms ; 2Ω

The test pulses are applied at V_S

Definition of functional status

Class

Content

All functions of the device are performed as designed after exposure to

disturbance.

One or more function of a device does not perform as designed after

exposure and can not be returned to proper operation without repairing

or replacing the device. The value after the character shows the limit.

Data Sheet V1.0

2003-01-10

1...4 5 678 9 10...14

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