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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MODULE | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35 |
| 针数： | 35 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.62 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 45 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X35 |
| 元件数量： | 7 | 端子数量： | 35 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 180 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 390 ns | 标称接通时间 (ton)： | 105 ns |
| VCEsat-Max： | 2.85 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| BSM35GP120BOSA1 | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-24 |
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| BSM35GP120G | ETC | IGBT Module |
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| BSM40 | ASTRODYNE | 40W Single Output Class II Medical Power Supplies |
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| BSM400C12P3G202 | ROHM | BSM400C12P3G202是由SiC-UMOSFET和SiC-SBD构成的斩波模块。适 |
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| BSM400D12P2G003 | ROHM | BSM400D12P2G003是由SiC-DMOSFET和SiC-SBD构成的半桥功率模块 |
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| BSM400D12P3G002 | ROHM | BSM400D12P3G002是由罗姆公司生产的SiC-UMOSFET和SiC-SBD构成 |
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