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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOP, SOP32,.56 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | 长度： | 20.447 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP32,.56 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 2.5/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.997 mm |
| 最大待机电流： | 8e-7 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.024 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.4 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 11.303 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BS62LV4008SCP55 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
|
| BS62LV4008SCP70 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
|
| BS62LV4008SI | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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| BS62LV4008SI55 | BSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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| BS62LV4008SI-55 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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| BS62LV4008SI70 | BSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| BS62LV4008SI-70 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
|
| BS62LV4008SIG55 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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| BS62LV4008SIG70 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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| BS62LV4008SIP55 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit |
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