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BS62LV4008SCG70

更新时间: 2024-01-02 01:01:02
品牌 Logo 应用领域
BSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 374K
描述
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 512K X 8 bit

BS62LV4008SCG70 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP32,.56Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32长度:20.447 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL电源:2.5/3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.997 mm
最大待机电流:8e-7 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.024 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.4 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:11.303 mm
Base Number Matches:1

BS62LV4008SCG70 数据手册

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BSI  
BS62LV4008  
„ PACKAGE DIMENSIONS (continued)  
STSOP - 32  
PDIP - 32  
Revision 1.1  
R0201-BS62LV4008  
10  
Jan.  
2004  

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