是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SOP, SOP32,.56 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 55 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.56 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 7e-7 A |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.023 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS62LV2009SI-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2009SI70 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
BS62LV2009SI-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2009SIG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2009SIG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2009SIP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2009SIP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2009STC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit | |
BS62LV2009STC55 | BSI |
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Standard SRAM, 256KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
BS62LV2009STC-55 | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |