是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP32,.56 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.82 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | 长度: | 20.447 mm |
内存密度: | 2097152 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.56 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.997 mm |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.055 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 11.3 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS62LV2006SIG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SIP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SIP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006STC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006STC55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006STC-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006STC70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006STC-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006STCG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006STCG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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