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BS62LV2006SIP55

更新时间： 2024-01-26 15:44:22
品牌 Logo 应用领域
BSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 322K
描述
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit

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BS62LV2006SIP55 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP32,.56
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.82最长访问时间：55 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.447 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP32,.56封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.997 mm
最小待机电流：1.5 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.055 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2.4 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：11.3 mm
Base Number Matches：1

BS62LV2006SIP55 数据手册

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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM  
256K X 8 bit  
BSI  
BS62LV2006  
„ FEATURES  
• Fully static operation  
• Data retention supply voltage as low as 1.5V  
• Easy expansion with CE2, CE1, and OE options  
• Wide Vcc operation voltage : 2.4V~5.5V  
• Very low power consumption :  
Vcc = 3.0V C-grade : 22mA (@55ns) operating current  
I- grade : 23mA (@55ns) operating current  
C-grade : 17mA (@70ns) operating current  
I- grade : 18mA (@70ns) operating current  
0.3uA (Typ.) CMOS standby current  
Vcc = 5.0V C-grade : 53mA (@55ns) operating current  
I- grade : 55mA (@55ns) operating current  
C-grade : 43mA (@70ns) operating current  
I- grade : 45mA (@70ns) operating current  
1.0uA (Typ.) CMOS standby current  
„ DESCRIPTION  
The BS62LV2006 is a high performance, very low power CMOS  
Static Random Access Memory organized as 262,144 words by 8 bits  
and operates from a wide range of 2.4V to 5.5V supply voltage.  
Advanced CMOS technology and circuit techniques provide both high  
speed and low power features with a typical CMOS standby current of  
0.3uA at 3.0V/25oC and maximum access time of 55ns at 3.0V/85oC.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW chip  
enable (CE1), an active HIGH chip enable (CE2), and active LOW  
output enable (OE) and three-state output drivers.  
• High speed access time :  
-55  
-70  
55ns  
70ns  
The BS62LV2006 has an automatic power down feature, reducing the  
power consumption significantly when chip is deselected.  
The BS62LV2006 is available in DICE form, JEDEC standard 32 pin  
450mil Plastic SOP, 8mmx13.4mm STSOP and 8mmx20mm TSOP.  
• Automatic power down when chip is deselected  
• Three state outputs and TTL compatible  
„ PRODUCT FAMILY  
POWER DISSIPATION  
SPEED  
( ns )  
STANDBY  
Operating  
PRODUCT  
FAMILY  
OPERATING  
TEMPERATURE  
Vcc  
RANGE  
( ICCSB1, Max )  
( ICC, Max )  
PKG TYPE  
55ns :3.0~5.5V  
70ns :2.7~5.5V  
Vcc=3.0V  
70ns  
Vcc=5.0V  
70ns  
Vcc=3.0V  
Vcc=5.0V  
BS62LV2006DC  
BS62LV2006TC  
BS62LV2006STC  
BS62LV2006SC  
BS62LV2006DI  
BS62LV2006TI  
BS62LV2006STI  
BS62LV2006SI  
DICE  
TSOP-32  
STSOP-32  
SOP-32  
DICE  
TSOP-32  
STSOP-32  
SOP-32  
+0 O C to +70O  
-40 O C to +85O  
C
C
2.4V ~5.5V  
2.4V ~ 5.5V  
55/70  
55/70  
3.0uA  
5.0uA  
10uA  
17mA  
43mA  
45mA  
30uA  
18mA  
„ BLOCK DIAGRAM  
„ PIN CONFIGURATIONS  
1
2
3
4
5
6
7
8
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
A11  
A9  
A8  
OE  
A10  
CE1  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
GND  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
A0  
A13  
A17  
A13  
WE  
CE2  
A15  
VCC  
A17  
A16  
A14  
A12  
A7  
A15  
A16  
A14  
Address  
Memory Array  
20  
1024  
BS62LV2006TC  
BS62LV2006STC  
BS62LV2006TI  
BS62LV2006STI  
Row  
Decoder  
Input  
A12  
A7  
A6  
A5  
A4  
9
1024 x 2048  
Buffer  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A6  
A5  
A4  
A1  
A2  
A3  
2048  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
8
Data  
Input  
Buffer  
8
Column I/O  
Write Driver  
Sense Amp  
A17  
A16  
A14  
A12  
A7  
1
VCC  
A15  
CE2  
WE  
32  
8
2
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
8
Data  
Output  
Buffer  
3
256  
4
5
A13  
A8  
Column Decoder  
16  
A6  
6
A5  
7
A9  
BS62LV2006SC  
BS62LV2006SI  
A4  
8
A11  
OE  
CE1  
CE2  
A3  
9
Control  
Address Input Buffer  
A2  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
A10  
CE1  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
WE  
OE  
Vdd  
Gnd  
A1  
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
A9 A8 A3 A2 A1 A0 A10  
A11  
Brilliance Semiconductor, Inc. reserves the right to modify document contents without notice.  
Revision 1.1  
Jan. 2004  
R0201-BS62LV2006  
1
1234567...9

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