是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP32,.56 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.82 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
长度: | 20.447 mm | 内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP32,.56 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.997 mm |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.043 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.4 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 11.3 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BS62LV2006SI | BSI |
获取价格 |
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SI55 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SI-55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SI70 | BSI |
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Very Low Power CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SI-70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SIG55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SIG70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SIP55 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006SIP70 | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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BS62LV2006STC | BSI |
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Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit |
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