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BS616LV2010ECP10

更新时间： 2024-01-01 23:16:00

品牌	Logo	应用领域
BSI		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	260K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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BS616LV2010ECP10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	100 ns	备用内存宽度：	8
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.41 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.000005 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

BS616LV2010ECP10 数据手册

BSI

BS616LV2010

AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( TA = 0 to + 70^oC , Vcc = 3.0V )

WRITE CYCLE

JEDEC

PARAMETER

NAME

CYCLE TIME : 70ns

MIN. TYP. MAX.

CYCLE TIME : 100ns

MIN. TYP. MAX.

PARAMETER

NAME

DESCRIPTION

Write Cycle Time

UNIT

t_AVAX

t_E1LWH

t_AVWL

t_AVWH

t_WLWH

t_WHAX

t_BW

t_WC

t_CW

t_AS

100

Chip Select to End of Write

Address Setup Time

Address Valid to End of Write

Write Pulse Width

t_AW

t_WP

t_WR

t_BW

t_WHZ

t_DW

t_DH

100

Write recovery Time

(CE,WE)

(LB,UB)

Date Byte Control to End of Write

Write to Output in High Z

Data to Write Time Overlap

Data Hold from Write Time

Output Disable to Output in High Z

t_WLQZ

t_DVWH

t_WHDX

t_GHQZ

t_OHZ

t_WHOX

t_OW

End of Write to Output Active

SWITCHING WAVEFORMS (WRITE CYCLE)

WRITE CYCLE1 ⁽¹⁾

ADDRESS

(3)

(11)

(5)

LB,UB

(3)

(2)

(4,10)

OHZ

D _OUT

D _IN

Revision 2.3

Jan. 2004

R0201-BS616LV2010

1...3 4 567 8 9

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