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BRD4N65

更新时间： 2024-09-17 17:15:43

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BRD4N65 数据手册

BRD4N65

Rev.I Mar.-2023

DATA SHEET

描述 / Descriptions

TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.

特征 / Features

低栅电荷,低反馈电容,开关速度快，无卤产品。

Low gate charge, low crss, fast switching, HF Product.

用途 / Applications

该器件适用于适配器和充电器的功率开关电路

These devices are well suited for power switch circuit of adaptor and charger.

内部等效电路 / Equivalent Circuit

引脚排列 / Pinning

PIN1：G

PIN 2：D

PIN 3：S

PIN 4：D

印章代码 / Marking

见印章说明。See Marking Instructions.

http://www.fsbrec.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BRD4N65S	FOSHAN	获取价格	TO-252
BRD4N70	FOSHAN	获取价格	TO-252
BRD505	POWER-ONE	获取价格	DUAL OUTPUT, 2 WATT
BRD505I	ETC	获取价格	Analog IC
BRD50C1-15.000MHZ-G1	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 15MHz Nom, HC49/US, 2 PIN
BRD50C1-16.000MHZ-I	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 16MHz Nom, HC49/US, 2 PIN
BRD50C1-23.999MHZ-L	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 23.999MHz Nom, HC49/US, 3 PIN
BRD50C1-3.579545MHZ-G1	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.579545MHz Nom, HC49/US, 2 PIN
BRD50C1-3.579545MHZ-I	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.579545MHz Nom, HC49/US, 2 PIN
BRD50C1-5.999MHZ-G1	CALIBER	获取价格	Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.999MHz Nom, HC49/US, 2 PIN