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BRD4N65S

更新时间: 2024-11-19 17:15:31
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蓝箭 - FOSHAN /
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6页 981K
描述
TO-252

BRD4N65S 数据手册

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BRD4N65S  
Rev.A Dec.-2023  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
TO-252 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。  
N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package.  
特征 / Features  
低栅电荷,低反馈电容,开关速度快,无卤产品,具有良好的电磁干扰性能,无卤产品。  
Low gate charge, low crss, fast switching,HF Product. Have good Electromagnetic Interference  
porformance, HF Product.  
用途 / Applications  
该器件适用于适配器和充电器的功率开关电路  
These devices are well suited for power switch circuit of adaptor and charger.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
PIN1G  
PIN 2D  
PIN 3S  
PIN 4D  
印章代码 / Marking  
见印章说明。  
See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
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与BRD4N65S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BRD4N70 FOSHAN

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TO-252
BRD505 POWER-ONE

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Analog IC
BRD50C1-15.000MHZ-G1 CALIBER

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 23.999MHz Nom, HC49/US, 3 PIN
BRD50C1-3.579545MHZ-G1 CALIBER

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.579545MHz Nom, HC49/US, 2 PIN
BRD50C1-3.579545MHZ-I CALIBER

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 3.579545MHz Nom, HC49/US, 2 PIN
BRD50C1-5.999MHZ-G1 CALIBER

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.999MHz Nom, HC49/US, 2 PIN
BRD50C1-5.999MHZ-I CALIBER

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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 5.999MHz Nom, HC49/US, 2 PIN