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BRCS3134ZK

更新时间： 2024-11-22 17:15:51
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蓝箭 - FOSHAN /
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描述
DFN1006-3L

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BRCS3134ZK 数据手册

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BRCS3134ZK  
Rev.C Feb.-2023  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
DFN1006-3L 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN1006-3L Plastic Package.  
特征 / Features  
灵敏的控制级触发电流和很低的维持电流。静电保护达 2KV，无卤产品。  
Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected up to 2KV, HF Product.  
用途 / Applications  
用作一般的开关和相位控制。  
Intended for use in general purpose switching and phase control applications.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
Pin1:G  
Pin2:S  
Pin3:D  
印章代码 / Marking  
见印章说明 See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
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