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BRCS3139ZK

更新时间： 2024-11-19 17:15:51
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蓝箭 - FOSHAN /
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描述
DFN1006-3L

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BRCS3139ZK  
Rev.A May.-2023  
DATA SHEET  
描述 / Descriptions  
DFN1006-3L 塑封封装 P 沟道 MOS 场效应管。  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor in a DFN1006-3L Plastic Package.  
特征 / Features  
VDS=-20V；ID=-0.7A；VGS=±12V  
R
DS(on)@-4.5V≤520mΩ(Type.390mΩ)  
RDS(on)@-2.5V≤780mΩ(Type.530mΩ)  
DS(on)@-1.8V≤1100mΩ(Type.700mΩ)  
R
ESD-HBM≥2000V  
无卤产品。HF Product.  
用途 / Applications  
用作一般的开关和相位控制。  
Intended for use in general purpose switching and phase control applications.  
内部等效电路 / Equivalent Circuit  
引脚排列 / Pinning  
Pin1:G  
Pin2:S  
Pin3:D  
印章代码 / Marking  
见印章说明 See Marking Instructions.  
http://www.fsbrec.com  
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