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BR25H020FJ-W

更新时间： 2024-01-12 09:01:00
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
17页 1148K
描述
HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type

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BR25H020FJ-W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SOIC包装说明：LSOP,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.41最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：5 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：256 words
字数代码：256工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4.4 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

BR25H020FJ-W 数据手册

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Fig.21ꢀSI setup timeꢀtDIS  
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Fig.22ꢀSI hold timeꢀtDIH  
Fig.23ꢀData output delay timeꢀtPD1(CL=100pF)  
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Fig.25ꢀOutput disable time tOZ  
Fig.26ꢀHOLDB setting hold time tHFH  
Fig.24ꢀData output delay time tPD2(CL-30pF)  
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Fig.27ꢀHOLDB release hold time tHRH  
Fig.28ꢀTime from HOLDB to output High-Z tHOZ  
Fig.29ꢀTime from HOLDB to output change tHPD  
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Fig.32 Write cycle time tE/W  
Fig.31 Output fall time tFO  
Fig.30 Output rise time tRO  
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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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