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BR25H020FJ-W

更新时间： 2024-02-10 06:32:23

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罗姆 - ROHM		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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17页	1148K
描述
HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type

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BR25H020FJ-W 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	LSOP,
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.41	最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	5 mm
内存密度：	2048 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	256 words
字数代码：	256	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256X8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	串行总线类型：	SPI
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	4.4 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms
Base Number Matches：	1

BR25H020FJ-W 数据手册

●Command mode

Ope code

BR25H080-W

BR25H040-W BR25H160-W

BR25H320-W

Command

Contents

BR25H010-W

BR25H020-W

WREN Write enable

WRDI Write disable

READ Read

Write enable command

Write disable command 0000

0000

^ж110 0000

^ж100 0000

^ж110

^ж100

0000

0000 0100

0011

^ж010 0000 A₈010 0000 0010

0110

Read command

Write command

Status register read

command

Status register write

command

0000

^ж011 0000 A₈011 0000

WRITE Write

RDSR Read status register

WRSR Write status register

0000

^ж101 0000

^ж101

0000 0101

0000 0001

^ж001 0000

^ж001

●Timing chart

1. Write enable (WREN) / disable (WRDI) cycle

1. WREN (WRITE ENABLE): Write enable

CSB

SCK

High-Z

^ж1 BR25H010/020/040-W= Don’t care

BR25H080/160/320-W= “0” input

Fig.33 Write enable command

1. WRDI (WRITE DISABLE): Write disable

CSB

SCK

High-Z

^ж1 BR25H010/020/040-W= Don’t care

BR25H080/160/320-W= “0” input

Fig.34 Write disable

○This IC has write enable status and write disable status. It is set to write enable status by write enable command, and it is set

to write disable status by write disable command. As for these commands, set CSB LOW, and then input the respective ope

codes. The respective commands accept command at the 7-th clock rise. Even with input over 7 clocks, command becomes

valid.

When to carry out write and write status register command, it is necessary to set write enable status by the write enable

command. If write or write status register command is input in the write disable status, commands are cancelled. And even in

the write enable status, once write and write status register command is executed, it gets in the write disable status. After

power on, this IC is in write disable status.

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