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BR25H020FJ-W

更新时间： 2024-01-16 16:08:00
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
17页 1148K
描述
HIGH GRADE Specification HIGH RELIABILITY series SPI BUS Serial EEPROMs Supply voltage 2.5V~5.5V Operating temperature -40∑C ~ +125∑C type

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BR25H020FJ-W 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SOIC包装说明：LSOP,
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.41最大时钟频率 (fCLK)：5 MHz
JESD-30 代码：R-PDSO-G8长度：5 mm
内存密度：2048 bit内存集成电路类型：EEPROM
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：8字数：256 words
字数代码：256工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：256X8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE并行/串行：SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm串行总线类型：SPI
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：4.4 mm最长写入周期时间 (tWC)：5 ms
Base Number Matches：1

BR25H020FJ-W 数据手册

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●Characteristic data (The following characteristic data are Typ. Values.)  
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IOL[mA]  
Vcc[V]  
Fig.7 ꢀ"L" input voltageꢀVIL(CSB,SCK,SI,HOLDB,WPB)  
Fig.8ꢀ"L" output voltageꢀVOL-IOL(Vcc=2.5V)  
Fig.6 ꢀ"H" input voltageꢀVIH(CSB,SCK,SI,HOLDB,WPB)  
12  
10  
8
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2.6  
2.5  
2.4  
2.3  
2.2  
2.1  
SPEC  
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Vcc[V]  
VOUT[V]  
IOH[mA]  
Fig.11ꢀOutput leak current ILO(SO)(Vcc=5.5V)  
Fig.10ꢀInput leak current ILI(CSB,SCK,SI,HOLDB,WPB)  
Fig.9ꢀ"H" output voltage VOH-IOH(Vcc=2.5V)  
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fSCK=5MHz  
DATA=AAh  
fSCK=5MHz  
SPEC  
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DATA=00h  
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Vcc[V]  
Vcc[V]  
Vcc[V]  
Fig.12ꢀCurrent consumption at WRITE operation  
Fig.14ꢀConsumption current at standby operation ISB  
Fig.13ꢀConsumption Current at READ operation  
ICC1,2  
ICC3,4  
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SPEC  
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Vcc[V]  
Vcc[V]  
Vcc[V]  
Fig.15ꢀSCK frequency fSCK  
Fig.16 SCK high timeꢀtSCKWH  
Fig.17 SCK low timeꢀtSCKWL  
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SPEC  
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SPEC  
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Vcc[V]  
Vcc[V]  
Vcc[V]  
Fig.19ꢀCSB setup timeꢀtCSS  
Fig.20ꢀCSB hold timeꢀtCSH  
Fig.18 CSB high timeꢀtCS  
4/16  
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与BR25H020FJ-W相关器件

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